三星与 SK 海力士预调价格：DRAM/NAND 提价高达 30%，长期供应协议加速签订 作者：EEPW 时间：2025-10-24 来源： 加入技术交流群 扫码加入和技术大咖面对面交流海量资料库查询

伴随人工智能基础设施投入的快速扩张，存储器市场迎来结构性转变。据韩国主流财经媒体最新消息，存储器行业两大巨头 —— Samsung Electronics（三星）与 SK hynix（SK 海力士）已通知客户：2025 年第四季度合同或现货价格将调高至约 30% 的幅度，涉及 DRAM 与 NAND Flash 产品。

消息指出，随着云服务器、AI 模型训练及推理需求的叠加，DRAM 与 NAND 的供需格局正在发生改变。多家国际电子与服务器厂商据称在近日积极与三星、SK 海力士磋商“2-3 年期”中长期供货协议，以锁定未来资源、避免价格波动风险。

业内分析认为，本轮提价的逻辑主要包括三方面：其一，AI 服务器的大规模建设提升了对 HBM（高带宽存储器）及大容量 DRAM 的需求，使资源向高端内存倾斜；其二，传统 DRAM 与 NAND 产能的扩张受到制约，库存紧俏已成常态；其三，客户为了应对价格上行趋势，提前进入采购与合同锁定。

在 DRAM 市场方面，报道称三星与 SK 海力士一线将针对普通 DDR4/DDR5 服务器等级 DRAM 上调幅度最高可达 30%。NAND Flash 方面，虽上调幅度较小，但也被预期有两位数增长。部分客户已经在近期的合同谈判中要求提前锁定“优先配额”，并与厂商达成多期供货条款。

对于下游客户而言，这意味着成本端可能出现上升压力。整机制造商、服务器运营商与模块厂商将更早介入库存部署，以避免后续“价格跳跃”造成成本失控。与此同时，存储器厂商则从产能竞争转向定价策略与客户锁定关系的主动布局。

从中长期视角看，提价趋势可能延伸至未来 12 至 24 个月。由于 DRAM 向高带宽、高容量方向的能力转移加剧，传统规格的存储器供应未必能及时跟进。在此背景下，率先签订长期协议并获得优配资源的客户，将在未来的供给紧张期中占据优势。

在市场反响方面，提价消息已引起部分模组厂、分销渠道及采购方的注意。据悉，部分客户在收到厂商“即将涨价”的预告后，已启动补库行动，市场交易气氛因此被提振。

总的来看，三星与 SK 海力士此轮价格动作既是对人工智能时代存储需求爆发的回应，也是一种由“产能竞争”向“资源控制”转型的策略信号。整个存储器产业链的玩家需警觉：库存布局与合同安排的节奏可能将成为未来供应链竞争的新维度。